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IRFI540GPBF	文件：1.60547 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?LowThermalResistancePackage ?100RgTested APPLICATIONS ?IsolatedDC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
IRFI540GPBF	文件：568.96 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI540N	文件：131.56 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.052ohm,Id=20A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRFI540NPBF	文件：258.72 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI540NPBF	文件：505.31 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFI540NPBF	文件：267.68 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFM540	文件：625.11 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFNJ540	文件：42.95 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI-RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFR540Z	文件：371.01 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatest processingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeatures ofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeeda	IRF International Rectifier	IRF
IRFR540Z	文件：335.8 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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