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SFP9Z34

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SFP9Z34

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●175oCOperetingTemperature ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:-10μA(Max.)@VDS=-60V ●LowRDS(ON):0.106?(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SFS9Z34

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES νAvalancheRuggedTechnology νRuggedGateOxideTechnology νLowerInputCapacitance νImprovedGateCharge ν175°COperatingTemperature νExtendedSafeOperatingArea νLowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-60V νLowRDS(ON):0.106?(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SFS9Z34

iscP-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SFW9Z34

iscP-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SFW9Z34

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?175oCOperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-60V ?LowRDS(ON):0.106?(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SFWI9Z34

AdvancedPowerMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SIHF9Z34

PowerMOSFETDynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRatedP-Channel

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

SIHF9Z34

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHF9Z34L

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數

  • 型號：

    IRF9Z34NSPBF

  • 功能描述：

    MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRF9Z34NSPBF供應商 更新時間2025-7-28 13:45:00

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