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SIHF9Z24

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa

VishayVishay Siliconix

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SIHF9Z24L

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit

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SIHF9Z24S

PowerMOSFET

FEATURES ?Advancedprocesstechnology ?Surfacemount(IRF9Z24S,SiHF9Z24S) ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?P-channel ?Fullyavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatasheetprovidesin

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SIHF9Z24S

PowerMOSFET

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SIHF9Z24STL

PowerMOSFET

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SIHF9Z24STR

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SIHFI9Z24G

PowerMOSFET

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SVD9Z24NT

-12A,-55VP-CHANNELMOSFET

GENERALDESCRIPTION SVD9Z24NTisaP-channelenhancementmodepowerMOSfieldeffect transistorwhichisproducedusingSilanplanarVDMOSprocess.The improvedprocessandcellstructurehavebeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance, an

SILANSilan Microelectronics Joint-stock

士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司

UF9Z24

12A,55VP-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

詳細參數

  • 型號：

    IRF9Z24STRLPBF

  • 功能描述：

    MOSFET P-Chan 60V 11 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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