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IRF9Z24STRL中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF9Z24STRL
廠商型號(hào)

IRF9Z24STRL

功能描述

Power MOSFET

文件大小

2.30422 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

VISHAY威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
VISHAY
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-4 13:36:00

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IRF9Z24STRL規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

FEATURES

? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition

? Advanced Process Technology

? Surface Mount (IRF9Z24S, SiHF9Z24S)

? Low-Profile Through-Hole (IRF9Z24L, SiHF9Z24L)

? 175 °C Operating Temperature

? Fast Switching

? P-Channel

? Fully Avalanche Rated

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF9Z24STRL

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
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Vishay Siliconix
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
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