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IRF9Z24N

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/f9z24n/marking.html">F9Z24N；Package：TO-220；-55V P-Channel MOSFET

Features VDS(V)=-55V ID=-12A(VGS=-10V) RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

IRF9Z24N

Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRF9Z24N

Advanced Process Technology

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRF9Z24N

-55V 單個 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封裝; \n優(yōu)勢:\n?\n ? 符合 RoHS\n? 低 RDS(on)\n? 具有業(yè)內(nèi)先進的品質(zhì)\n? 動態(tài)的dv/dt額定值\n? 快速開關(guān)\n? 完全雪崩額定值\n? 175°C 的工作溫度\n? P 通道MOSFET\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRF9Z24NL

Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRF9Z24NL

Advanced Process Technology

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRF9Z24NLPBF

HEXFET Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRF9Z24NPBF

HEXFET Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRF9Z24NS

Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRF9Z24NS

Advanced Process Technology

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    IRF9Z24NPBF

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    TO220

  • VDS max：

    -55 V

  • RDS (on) @10V max：

    175 m?

  • ID @25°C max：

    -12 A

  • QG typ @10V：

    12.7 nC

  • Polarity：

    P

  • VGS(th) min：

    -2 V

  • VGS(th) max：

    -4 V

  • VGS(th)：

    -3 V

  • Technology：

    IR MOSFET?

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
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TO-220/TO-263
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深圳市勤思達科技有限公司主營IR系列全新原裝正品,現(xiàn)貨供應(yīng)IRF9Z24N,歡迎咨詢洽談。
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更多IRF9Z24N供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 11:04:00

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