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IRF9956

Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.10ohm)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRF9956

30V 2N-Channel MOSFET

Features GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount VeryLowGateChargeandSwitchingLosses FullyAvalancheRated Lead-Free VDS(V)=30V ID=2.2A(VGS=-10V) RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導體廣東友臺半導體有限公司

IRF9956

30V雙 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封裝; \n優(yōu)勢:\n? 符合 RoHS\n? 低 RDS(on)\n? 動態(tài)的dv/dt額定值\n? 快速開關(guān)\n? 雙 N 通道 MOSFET\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRF9956PBF

HEXFET Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRF9956TR

Marking：IRF9956；Package：SOP-8；30V 2N-Channel MOSFET

Features GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount VeryLowGateChargeandSwitchingLosses FullyAvalancheRated Lead-Free VDS(V)=30V ID=2.2A(VGS=-10V) RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導體廣東友臺半導體有限公司

IRF9956PBF

ULTRA LOW ON TESISTANCE

IRF

International Rectifier

IRF9956PBF_15

ULTRA LOW ON TESISTANCE

IRF

International Rectifier

IRF9956TRPBF

ULTRA LOW ON TESISTANCE

IRF

International Rectifier

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    IRF9956TRPBF

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    SO8

  • VDS max：

    30 V

  • RDS (on) @10V max：

    100 m?

  • RDS (on) @4.5V max：

    200 m?

  • ID @25°C max：

    3.5 A

  • QG typ @10V：

    6.9 nC

  • Polarity：

    N+N/N+N

  • VGS(th) min：

    1 V

  • Technology：

    IR MOSFET?

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IR
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SOP-8
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SOP-8
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更多IRF9956供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 17:06:00

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