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IRF9953	文件：107.4 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.25ohm) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9953PBF	文件：206.63 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET? Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9953PBF	文件：212.12 Kbytes Page：7 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRF9953PBF_15	文件：212.12 Kbytes Page：7 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
L9953	文件：1.8271 Mbytes Page：22 Pages	forcarbodyapplications Description TheL5958includes6linearvoltageregulatorsanda2Apowerswitch,workingdownto4.5Vbatterylevel.Allthevoltageregulatorscanbeswitchedoffthroughthethreeenablepins. Features ■L5958sixoutputs: –8.5V@200mA –5.0V@300mA –3.3V@250mA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
L9953	文件：541.52 Kbytes Page：38 Pages	Dooractuatordriver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
L9953LXP	文件：363.81 Kbytes Page：35 Pages	Dooractuatordriver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
L9953LXP	文件：1.8271 Mbytes Page：22 Pages	forcarbodyapplications Description TheL5958includes6linearvoltageregulatorsanda2Apowerswitch,workingdownto4.5Vbatterylevel.Allthevoltageregulatorscanbeswitchedoffthroughthethreeenablepins. Features ■L5958sixoutputs: –8.5V@200mA –5.0V@300mA –3.3V@250mA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
L9953TR	文件：541.52 Kbytes Page：38 Pages	Dooractuatordriver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
L9953XP	文件：1.8271 Mbytes Page：22 Pages	forcarbodyapplications Description TheL5958includes6linearvoltageregulatorsanda2Apowerswitch,workingdownto4.5Vbatterylevel.Allthevoltageregulatorscanbeswitchedoffthroughthethreeenablepins. Features ■L5958sixoutputs: –8.5V@200mA –5.0V@300mA –3.3V@250mA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS

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詳細參數(shù)

型號：
IRF9953
功能描述：
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
RoHS：
否
類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
系列：
HEXFET®
產(chǎn)品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
標準包裝：
1
系列：
- FET
型：
2 個 N 溝道（雙） FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝：
PowerPAK? SO-8
包裝：
Digi-Reel®
產(chǎn)品目錄頁面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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