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IRF9530中文資料三星數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF9530
廠商型號(hào)

IRF9530

功能描述

P-CHANNEL POWER MOSFETS

文件大小

378.27 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SAMSUNG三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-15 20:05:00

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IRF9530規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low RDS(on)

? Improved inductive ruggedness

? Fsat switching times

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Low input capacitance

? Extended safe operating area

? Improved high temperature reliability

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF9530

  • 功能描述:

    MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價(jià)
IR
22+
TO-220
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
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