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IRF9520NSPBF

HEXFETPowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRF9520NSTRL

AdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRF9520NSTRLPBF

ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRF9520PBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9520PBF

HEXFET?PowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?Dynamicdv/dtRaging ?RepetitiveAvalancheRated ?P-Channel ?175°COperatingTemperature ?Fas

IRF

International Rectifier

IRF9520S

SurfaceMount

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprov

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9520S

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9520S

HEXFETPowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?SurfaceMount ?AvailableinTape&Reel ?Dynamicdv/dtRaging ?RepetitiveAvalanche

IRF

International Rectifier

IRF9520SPBF

HEXFET?PowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?SurfaceMount ?AvailableinTape&Reel ?Dynamicdv/dtRaging ?RepetitiveAvalanche

IRF

International Rectifier

IRF9520SPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數

  • 型號：

    IRF9520NL

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
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房間原裝進口現貨假一賠十
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2015+
TO-262
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全新原裝,現貨庫存長期供應
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原廠原裝
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只做全新原裝真實現貨供應
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TO-262
8866
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NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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TO-262-3
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一級代理商現貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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原裝正品,現貨特價
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21+
TO-262
10000
原裝現貨假一罰十
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更多IRF9520NL供應商 更新時間2025-7-28 10:28:00

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