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IRF9410

Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.030ohm)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRF9410

30V 單個(gè) N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封裝; \n優(yōu)勢(shì):\n? 符合 RoHS\n? 低 RDS(on)\n? 具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)的品質(zhì)\n? 動(dòng)態(tài)的dv/dt額定值\n? 快速開(kāi)關(guān)\n? 完全雪崩額定值\n? 175°C 的工作溫度\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRF9410PBF

HEXFET? Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRF9410PBF

GENERATION V TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRF9410PBF_15

GENERATION V TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRF9410TRPBF

GENERATION V TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

技術(shù)參數(shù)

  • Package?：

    SO-8

  • VDS?max：

    30.0V

  • RDS (on)(@10V)?max：

    30.0m?

  • RDS (on)?max：

    30.0m?

  • RDS (on)(@4.5V)?max：

    50.0m?

  • Polarity?：

    N

  • ID (@ TA=70°C)?max：

    5.8A

  • ID (@ TA=25°C)?max：

    7.0A

  • Ptot(@ TA=25°C)?max：

    2.5W

  • QG?：

    18.0nC?

  • RthJA?max：

    50.0K/W

  • Mounting?：

    SMD

  • Moisture Sensitivity Level?：

    1

  • Tj?max：

    150.0°C

  • VGS?max：

    20.0V

  • Qgd?：

    4.9nC?

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
24+
8PIN-SOP
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只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢(xún)價(jià)
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SOP-8
500733
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢(xún)價(jià)
IR
24+
SOP-8
6360
新進(jìn)庫(kù)存/原裝
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更多IRF9410供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 15:01:00

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