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IRF840中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF840
廠商型號(hào)

IRF840

功能描述

Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A)

文件大小

170.17 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-8-6 16:43:00

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IRF840規(guī)格書詳情

500 Volt, 0.85 Ohm HEXFET TO-220AB Plastic Package

The HEXFET technology is the key to International Rectifiers advance line of power MOSFET transistors. The efficient gemmetry and unique processing of this latest State of the Art design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance; superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability.

FEATURES:

■ Repetitive Avalanche Ratings

■ Dynamic dv/dt Rating

■ Simple Drive Requirements

■ Ease of Paralleling

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF840

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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