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IRF830PBF

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipatio

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF830PBF

N-Channel 600V (D-S) Power MOSFET

FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent APPLICATIONS ?Switchmodepowersupply(SMPS) ?Uninterruptiblepowersupply ?Highspee

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

IRF830PBF

5.0A,500V Heatsink N-Channel Type Power MOSFET;

ThinkiSemiThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

IRF830PBF

HEXFET Power MOSFET;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRF830PBF

5.0A,500V Heatsink N-Channel Type Power MOSFET

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

IRF830PBF

HEXFET Power MOSFET

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRF830P

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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原裝進(jìn)口假一罰十
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1541CN
TO-220AB
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更多IRF830P供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 20:23:00

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