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IRF8306M數(shù)據(jù)手冊(cè)Infineon中文資料規(guī)格書

PDF無圖
廠商型號(hào)

IRF8306M

功能描述

30V 單個(gè) N 通道 HEXFET Power MOSFET 和肖特基二極管, 采用 DirectFET MX封裝,在低導(dǎo)通電阻下進(jìn)行了優(yōu)化,額定電流為23 A。

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-28 23:01:00

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IRF8306M規(guī)格書詳情

特性 Features


優(yōu)勢(shì):
? 符合 RoHS
? 纖薄外形(小于0.7毫米)
? 雙面冷卻
? 低通態(tài)損耗
? 針對(duì)高頻開關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化
? 低封裝電感
? 集成單片肖特基二極管

應(yīng)用 Application

? 電池保護(hù)
? 隔離式初級(jí)側(cè) MOSFET
? 隔離式次級(jí)側(cè)SyncRec MOSFET
? 負(fù)載開關(guān)高邊
? 負(fù)載開關(guān)低邊

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :IRF8306M

  • 生產(chǎn)廠家

    :Infineon

  • VDS?max

    :30.0V

  • RDS (on)?max

    :2.5m?

  • RDS (on)(@10V)?max

    :2.5m?

  • RDS (on)(@4.5V)?max

    :3.6m?

  • Polarity?

    :N with Schottky

  • ID (@ TA=70°C)?max

    :18.0A

  • ID (@ TA=25°C)?max

    :23.0A

  • ID (@ TC=25°C)?max

    :140.0A

  • Ptot(@ TA=25°C)?max

    :2.1W

  • Ptot?max

    :75.0W

  • QG?

    :25.0nC?

  • Mounting?

    :SMD

  • Qgd?

    :6.7nC?

  • RthJC?max

    :1.66K/W

  • Tj?max

    :150.0°C

  • Moisture Sensitivity Level?

    :1

  • VGS?max

    :20.0V

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
24+
NA/
15140
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
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IR
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DirectFET? Isometric MX
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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