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IRF821中文資料摩托羅拉數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF821
廠商型號(hào)

IRF821

功能描述

N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS

文件大小

140.22 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

MOTOROLA摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-7-23 22:30:00

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IRF821規(guī)格書詳情

Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS

TMOS POWER FETs 2 and 2.5 AMPERES rDS(on) = 3 OHM 450 and 500 VOLTS

rDS(on) = 4 OHM 450 VOLTS

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF821

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

  • 制造商:

    Harris Corporation

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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