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IRF820中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF820
廠商型號(hào)

IRF820
功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFETS
文件大小

322.92 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商

SAMSUNG
中文名稱

三星
網(wǎng)址

網(wǎng)址
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-14 10:08:00
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IRF820規(guī)格書詳情

FEATURES

● Lower RDS(ON)

● Improved inductive ruggedness

● Fast switching times

● Rugged polysilicon gate cell structure

● Lower input capacitance

● Extended safe operating area

● Improved high temperature reliability

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRF820

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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