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IRF7807VD2

FETKY??MOSFET / SCHOTTKY DIODE

Description TheFETKY?familyofCo-PackHEXFET?MOSFETsandSchottkydiodesoffersthedesigneraninnovative,boardspacesavingsolutionforswitchingregulatorandpowermanagementapplications.HEXFETpowerMOSFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistance

IRF

International Rectifier

IRF7807VD2PBF

FETKY MOSFET / SCHOTTKY DIODE

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IRF

International Rectifier

IRF7807VD2PbF

Co-Pack N-channel HEXFET? Power MOSFET and Schottky Diode

Description TheFETKY?familyofCo-PackHEXFET?MOSFETsandSchottkydiodesoffersthedesigneraninnovative,boardspacesavingsolutionforswitchingregulatorandpowermanagementapplications.HEXFETpowerMOSFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistance

IRF

International Rectifier

IRF7807VD2TRPBF

Co-Pack N-channel HEXFET? Power MOSFET and Schottky Diode

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IRF

International Rectifier

IRF7807VD2PbF

Co-Pack N-channel HEXFET? Power MOSFET and Schottky Diode;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRF7807VD2TRPBF

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRF7807VD2

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    FETKY™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IRF7807VD2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 16:31:00

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