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IRF7756中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF7756
廠商型號

IRF7756

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

183.12 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
IRF
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-4 23:00:00

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IRF7756規(guī)格書詳情

描述 Description

HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier is well known for,provides thedesigner with an extremely efficient and reliable device for battery and load management.

The TSSOP-8 package has 45 less footprint area than the standard SO-8. This makes the TSSOP-8 an ideal device for applications where printed circuit board space is at a premium. The low profile (

● Ultra Low On-Resistance

● Dual P-Channel MOSFET

● Very Small SOIC Package

● Low Profile (< 1.2mm)

● Available in Tape & Reel

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF7756

  • 功能描述:

    MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    HEXFET®

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個(gè) N 溝道(雙) FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
24+
NA/
6900
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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IR
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TSSOP-8
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房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
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IR
18+
TSSOP8
85600
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票
詢價(jià)
IR
24+
TSSOP8
10350
原裝現(xiàn)貨假一賠十
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