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LMP7701MFXSLASHNOPB

Precision,CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeAmplifiers

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

ML7701

LASERDIODESFOROPTICALCOMMUNICATION

DESCRIPTION MitsubishiML7XX1seriesareInGaAsPlaserdiodesemittinglightbeamsaround1300nmwavelength.Theylasebyapplyingforwardcurrentexceedingthresholdvalues,andemitlightpowerofabout5mW/facetatanoperatingcurrentofaround15mAinexcessofthethresholdcurrent.Theyop

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機(jī)三菱電機(jī)株式會(huì)社

NCV7701

2.0AmpH-BridgeDriver

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NCV7701DW

2.0AmpH-BridgeDriver

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NDL7701P

1500nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONSInGaAsPMQW-DFBLASERDIODECOAXIALMODULE

DESCRIPTION TheNDL7705PSeriesisa1550nmphase-shiftedDFB(DistributedFeed-Back)laserdiodemodulewithopticalisolator.MultipleQuantumWell(MQW)structureisadoptedtoachievestabledynamicsinglelongitudinalmodeoperationoverwidetemperaturerangeof40to+85C. Itisdesig

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

NDL7701P

1550nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONSEAMODULATORINTEGRATEDMQW-DFBLASERDIODEMODULEFOR2.5Gb/sULTRALONG-REACHAPPLICATIONS

DESCRIPTION TheNDL7910PisanEAmodulatorintegrated1550nmDFB-LDfor2.5Gb/s.ThenewlydevelopedbandgapenergycontrolledSelectiveMOVPEtechnologyisutilizedasfabricationmethod.Itisdesignedfor2.5Gb/sultralongreachapplications. FEATURES ?Integratedelectroabsorptionmodu

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瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

NDL7701P

1550nmCWLIGHTSOURCEInGaAsPSTRAINEDMQW-DFBLASERDIODEMODULE

DESCRIPTION TheNX8562LBisa1550nmlaserdiodewithPolarizationMaintainFiber(PMF). ThisdeviceisdesignedasCWlightsourceandidealfortransmissionsystemsinwhichexternalmodulatorsareused. FEATURES ?OutputpowerPf=20mWMIN. ?WavelengthselectableforITU-Tstandards

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NDL7701P

1310nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONSInGaAsPMQW-DFBLASERDIODECOAXIALMODULE

DESCRIPTION TheNDL7603PSeriesisa1310nmphase-shiftedDFB(distributedfeedback)laserdiodemodulewithsinglemodefiber.TheMultipleQuantumWell(st-MQW)structureisadoptedtoachievestabledynamicsinglelongitudinalmodeoperationoverawidetemperaturerangeof-40to+85°C.It

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NDL7701P

CWLIGHTSOURCEInGaAsPSTRAINEDMQW-DFBLASERDIODEMODULEFORD-WDMAPPLICATIONS

DESCRIPTION TheNX8563LBSeriesisa1550nmlaserdiodewithPolarizationMaintainFiber(PMF). ThisdeviceisdesignedasCWlightsourceandidealforD-WDMtransmissionsystemsinwhichexternalmodulatorsareused. FEATURES ?OutputpowerPf=10mWMIN. ?Wavelengthavailabilityλp=1

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NDL7701P

1550nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONSInGaAsPSTRAINEDMQWDFBDC-PBHLASERDIODEMODULE

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRF7701

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
24+/25+
38095
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)
 詢價(jià)
IR
23+
TSSOP8
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
IR
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MSOP8
6430
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢
 詢價(jià)
INFINEON
1503+
SSOP-8
3000
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購(gòu)元件!
 詢價(jià)
Infineon
22+
NA
2118
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
 詢價(jià)
Infineon Technologies
22+
8TSSOP
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
IR
23+
SOP-8
15670
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
Infineon Technologies
23+
8TSSOP
9000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
IOR
23+
TSSOP8
150
現(xiàn)貨庫(kù)存
 詢價(jià)
更多IRF7701供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-26 14:30:00

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