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IRF7607	文件：77.44 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.030ohm) Description NewtrenchHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwi	IRF International Rectifier	IRF
IRF7607PBF	文件：144.23 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description NewtrenchHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwi	IRF International Rectifier	IRF
IRF7607TRPBF	文件：149.67 Kbytes Page：8 Pages	Trench Technology Description NewtrenchHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwi	IRF International Rectifier	IRF
IRF7607PBF	文件：149.67 Kbytes Page：8 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF7607PBF_15	文件：149.67 Kbytes Page：8 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
KRF7607	文件：80.55 Kbytes Page：2 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
MT7607H	文件：97.45 Kbytes Page：1 Pages	HighVoltageLinearLEDDriver	MAXICMaxic Technology,Inc. 美芯晟美芯晟科技（北京）有限公司	MAXIC
N7607B	文件：1.01464 Mbytes Page：9 Pages	SignalStudioforDFSRadarProfiles	KEYSIGHTKeysight Technologies 是德科技是德科技（中國）有限公司	KEYSIGHT
P7607	文件：173.44 Kbytes Page：11 Pages	SHIELDEDPOWERINDUCTOR	ETAL ETAL Group	ETAL
SDT7607	文件：81.87 Kbytes Page：1 Pages	10AMPSILICONPLANARNPNPOWERTRANSISTORS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF7607
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO-8
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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