IRF7465中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF7465規(guī)格書詳情
SMPS MOSFET
Benefits
● Low Gate to Drain Charge to Reduce
Switching Losses
● Fully Characterized Capacitance Including
Effective COSS to Simplify Design (See
App. Note AN1001)
● Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
● High frequency DC-DC converters
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF7465
- 功能描述：
MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR(國際整流器) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持! |
詢價 | ||
IR |
23+ |
SOP |
70192 |
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詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
SOIC-8_150mil |
6000 |
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詢價 | ||
Infineon |
23+ |
SO8 |
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Infineon/英飛凌 |
21+ |
SOIC-8_150mil |
6820 |
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IR |
25+ |
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IR |
2018+ |
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IR |
0843+ |
SOP8 |
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Infineon/英飛凌 |
24+ |
SOIC-8_150mil |
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INFINEON/英飛凌 |
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詢價 |
