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IRF7464PBF

HEXET Power MOSFET

SMPSMOSFET Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconvert

IRF

International Rectifier

LC7464

InfraredRemoteControlTransmitterIC

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

LC7464M

InfraredRemoteControlTransmitterIC

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

QPB7464

CATV75(ohm)pHEMTDualRFAmplifier

TriQuint

TriQuint Semiconductor

QPB7464SQ

CATV75(ohm)pHEMTDualRFAmplifier

TriQuint

TriQuint Semiconductor

QPB7464SR

CATV75(ohm)pHEMTDualRFAmplifier

TriQuint

TriQuint Semiconductor

SI7464DP

N-Channel6-V(D-S)FastSwitchingMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI7464DP

N-Channel6-V(D-S)FastSwitchingMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI7464DP

N-Channel200V(D-S)FastSwitchingMOSFET

FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFETs ?NewlowthermalresistancePowerPAK packagewithlow1.07mmprofile ?PWMoptimizedforfastswitching ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Primarysideswitch

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SSP7464N

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IRF7464PBF

  • 功能描述:

    MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 730mOhms 9.5nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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更多IRF7464PBF供應(yīng)商 更新時間2025-7-26 16:03:00