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IRF7413Z	文件：618.51 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelMOSFET Application GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance N-ChannelMosfet SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating FastSwitching 100RgTested Lead-Free Features VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
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IRF7413ZPBF	文件：266.83 Kbytes Page：10 Pages	ControlFETforNoteboolProcessorPower,ControlandSynchronousRectifier Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent ●100TestedforRG ●Lead-Free Applications ●ControlFETforNotebookProcessorPower ●ControlandSynchronousRectifierMOSFETforGraphicsCards andPOLConvertersinComputi	IRF International Rectifier	IRF
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF7413ATR
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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