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IRF7413GPBF

UltraLowOn-Resistance

IRF

International Rectifier

IRF7413GTRPBF

GenerationVTechnology

IRF

International Rectifier

IRF7413PBF

ULTARLOWONRESISTANCE

IRF

International Rectifier

IRF7413PBF

HEXFETPowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRF7413QPBF

HEXFETPowerMOSFET

Description TheseHEXFET?PowerMOSFETsinSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveaval

IRF

International Rectifier

IRF7413TR

MOSFET

Application GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance N-ChannelMosfet SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating FastSwitching 100RgTested Lead-Free Features VDS(V)=30V RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRF7413TR

GenerationVTechnology

GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance N-ChannelMosfet SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating FastSwitching 100RgTested Lead-Free Application Features VDS(V)=30V RDS(ON)12m(VGS=10V) RDS(ON)17m(VGS=4.5V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

IRF7413TR

UltraLowOn-Resistance

SMPSMOSFET Benefits ?LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters

IRF

International Rectifier

IRF7413TRPBF

N-Channel20V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

IRF7413TRPBF

fastsuitching

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF7413ATR

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRF7413ATR供應(yīng)商 更新時間2025-7-19 16:30:00

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