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IRF7406PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRF7406PBF |
| 功能描述 | HEXFET?Power MOSFET |
| 文件大小 |
235.41 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-8 9:05:00 |
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IRF7406PBF規(guī)格書詳情
描述 Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
? Generation V Technology
? Ultra Low On-Resistance
? P-Channel Mosfet
? Surface Mount
? Available in Tape & Reel
? Dynamic dv/dt Rating
? Fast Switching
? Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF7406PBF
- 功能描述：
MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 45mOhms 39.3nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2023+ |
3061 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
SOP-8 |
182 |
詢價(jià) | |||
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
65230 |
詢價(jià) | ||||
IR |
24+ |
SOP |
38 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
SOP-8 |
9896 |
詢價(jià) | |||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng) |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
SOP-8 |
7000 |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
原裝 |
6980 |
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
SOP-8 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) |
