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IRF730B中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF730B
廠商型號

IRF730B

功能描述

400V N-Channel MOSFET

文件大小

898.57 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

FAIRCHILD仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
FAIRCHILD
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-2 23:00:00

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IRF730B規(guī)格書詳情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies and electronic lamp ballasts based on half bridge.

特性 Features

? 5.5A, 400V, RDS(on) = 1.0? @VGS = 10 V

? Low gate charge ( typical 25 nC)

? Low Crss ( typical 20 pF)

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF730B

  • 功能描述:

    MOSFET 400V N-Channel B-FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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