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IRF6609數(shù)據(jù)手冊Infineon中文資料規(guī)格書

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廠商型號

IRF6609

功能描述

Low Conduction Losses

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-8 23:00:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 型號:

    IRF6609

  • 功能描述:

    MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
24+
NA/
26250
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
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