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PT6602

9AMPADJUSTABLEINTEGRATEDSWITCHINGREGULATOR

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

PT6602F

SingleDevice9AOutput

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

PT6602G

SingleDevice9AOutput

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

PT6602L

SingleDevice9AOutput

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

PT6602M

SingleDevice9AOutput

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

PT6602Q

SingleDevice9AOutput

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

PT6602R

SingleDevice9AOutput

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

RM6602

NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralFeatures N-Channel VDS=30V,ID=3.5A RDS(ON)

RECTRON

Rectron Semiconductor

S6602

SiCSchottkyBarrierDiodeBareDie

Features 1)Lowforwardvoltage 3)Temperatureindependentswitchingbehavior 2)Negligiblerecoverytime/current 4)Highsurgecurrentcapability Applications ?SwitchModePowerSupply ?EVCharger ?UninterruptiblePowerSupply ?AirConditioner ?SolarInverter ?MotorDrive

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

SPC6602

N&PPairEnhancementModeMOSFET

SYNC-POWERSYNC POWER Crop.

擎力科技擎力科技股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IRF6602

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IOR
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QFN
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IR
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原廠原裝
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只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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DirectFET? Isometric MQ
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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QFN
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原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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更多IRF6602供應商 更新時間2025-7-24 10:50:00