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LMH6601QMGX

250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

LMH6601QMGX/NOPB

CMOSOperationalAmplifier

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LMH6601QMGXNOPB

LMH6601/LMH6601Q250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

LMH6601QMGXSLASHNOPB

CMOSOperationalAmplifier

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

MCH6601

General-PurposeSwitchingDeviceApplications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社

MCH6601

Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications

Features ?LowON-resistance ?Ultrahigh-speedswitching ?1.5Vdrive ?Compositetypewith2MOSFETscontainedinasinglepackage,facilitatinghigh-densitymounting

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社

MCH6601

P-ChannelPowerMOSFET

Features ?LowON-resistance ?Ultrahigh-speedswitching ?1.5Vdrive ?Compositetypewith2MOSFETscontainedinasinglepackage,facilitatinghigh-densitymounting

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MCH6601

General-PurposeSwitchingDeviceApplications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社

MCH6601-TL-E

P-ChannelPowerMOSFET

Features ?LowON-resistance ?Ultrahigh-speedswitching ?1.5Vdrive ?Compositetypewith2MOSFETscontainedinasinglepackage,facilitatinghigh-densitymounting

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MIS6601

DualP-Channel20V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitchforPortableApplications ?BatterySwitchforPortableDevices ?Computers -BusSwitch -LoadSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    IRF6601

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IRF
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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DirectFET? Isometric MT
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Infineon Technologies
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DirectFET? Isometric MT
9000
原裝正品,支持實(shí)單
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SMD
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Infineon Technologies
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5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
詢價(jià)
更多IRF6601供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-23 9:03:00