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首頁 >IRF6601>規(guī)格書列表

零件編號(hào)	下載訂購	功能描述/絲印	制造商上傳企業(yè)	LOGO
LMH6601QMGX	文件：1.56586 Mbytes Page：28 Pages	250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LMH6601QMGX/NOPB	文件：2.12824 Mbytes Page：40 Pages	CMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI1
LMH6601QMGXNOPB	文件：1.26795 Mbytes Page：37 Pages	LMH6601/LMH6601Q250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LMH6601QMGXSLASHNOPB	文件：2.12824 Mbytes Page：40 Pages	CMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI1
MCH6601	文件：77.45 Kbytes Page：4 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
MCH6601	文件：43.69 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications Features ?LowON-resistance ?Ultrahigh-speedswitching ?1.5Vdrive ?Compositetypewith2MOSFETscontainedinasinglepackage,facilitatinghigh-densitymounting	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
MCH6601	文件：253.98 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelPowerMOSFET Features ?LowON-resistance ?Ultrahigh-speedswitching ?1.5Vdrive ?Compositetypewith2MOSFETscontainedinasinglepackage,facilitatinghigh-densitymounting	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MCH6601	文件：494.8 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
MCH6601-TL-E	文件：253.98 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelPowerMOSFET Features ?LowON-resistance ?Ultrahigh-speedswitching ?1.5Vdrive ?Compositetypewith2MOSFETscontainedinasinglepackage,facilitatinghigh-densitymounting	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MIS6601	文件：518.809 Kbytes Page：9 Pages	DualP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitchforPortableApplications ?BatterySwitchforPortableDevices ?Computers -BusSwitch -LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF6601
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	IRF6601	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
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