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首頁(yè)>IRF650B>規(guī)格書詳情

IRF650B數(shù)據(jù)手冊(cè)O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

IRF650B

功能描述

200V N-Channel MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-9 8:41:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 型號(hào):

    IRF650B

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
21+
TO-220
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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原裝優(yōu)勢(shì)絕對(duì)有貨
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FS
24+
原廠封裝
65250
支持樣品,原裝現(xiàn)貨,提供技術(shù)支持!
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明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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TO-220
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現(xiàn)貨庫(kù)存
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24+
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
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只做原裝、原廠優(yōu)勢(shì)渠道、假一賠十
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