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IRFS644

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFS644

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=8.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.28Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFS644A

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=250V ■LowerRDS(ON):0.214Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRFS644A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10A(Max.)@VDS=

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFS644B

250VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRFS644B

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFW644A

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=250V ?LowerRDS(ON):0.214?(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRFW644B

250VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

ISO644X

ISO644xGeneral-Purpose,Reinforced,Quad-ChannelDigitalIsolatorsWithRobustEMC

1Features ?Upto100Mbpsdatarate ?RobustSiO2isolationbarrier: –Widetemperaturerange:–40°Cto125°C –Upto5000VRMSisolationrating –Upto10.4kVsurgecapability –±100kV/μstypicalCMTI ?Supplyrange:2.25Vto5.5V ?Defaultoutputhigh(ISO644x)andlow (ISO644xF)op

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

KPC644

Photocoupler(ThesePhotocouplerscosistoftwoGalliumArsenideInfraredEmitting)

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRF644NSTRR

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類(lèi)別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
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專(zhuān)業(yè)優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
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就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
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Vishay Siliconix
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
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原裝正品，支持實(shí)單
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Vishay Siliconix
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TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
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TO-263
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##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)
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只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專(zhuān)注配單
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SOT263
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只做原裝現(xiàn)貨
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IR
23+
SOT263
7000
詢價(jià)
IR
24+
TO-263
30000
只做正品原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多IRF644NSTRR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-23 14:03:00

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