IRF640數(shù)據(jù)手冊(cè)恩XP中文資料規(guī)格書

廠商型號(hào) |
IRF640 |
功能描述 | TMOS Power MOSFETs |
制造商 | 恩XP 恩XP |
中文名稱 | N智浦 |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-9 16:42:00 |
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更多技術(shù)參數(shù)
- 型號(hào):
IRF640
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
TO220-3 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
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