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IRF630NSPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF630NSPBF
廠商型號

IRF630NSPBF

功能描述

Advanced Process Technology

文件大小

340.74 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-10 12:01:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF630NSPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon Technologies
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原裝
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原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
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