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IRF630中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF630
廠商型號

IRF630

功能描述

N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET

文件大小

104.75 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-11 23:01:00

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IRF630規(guī)格書詳情

描述 Description

This power MOSFET is designed using the company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY? process. This technology matches and improves the performances compared with standard parts from various sources.

General features

■ Extremely high dv/dt capability

■ Very low intrinsic capacitances

■ Gate charge minimized

Applications

■ Switching application

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF630

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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