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IRF630中文資料SUNTAC數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF630
廠商型號

IRF630

功能描述

POWER MOSFET

文件大小

137 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產廠商

SUNTAC

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-8-11 20:00:00

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IRF630規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

This Power MOSFET is designed for low voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.

FEATURES

◆ Dynamic dv/dt Rating

◆ Repetitive Avalanche Rated

◆ Fast Switching

◆ Ease of Paralleling

◆ Simple Drive Requirements

產品屬性

  • 型號:

    IRF630

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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