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IRF620STRLPBF

Vishay Siliconix

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovi

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF620STRLPBFA

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF620STRRPBFA

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFI620B

200VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRFI620G

PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.80ohm,Id=4.1A)

DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialap

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRF620STRLPBF

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IRF620STRLPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 10:12:00

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