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IRF620B

200V N-Channel MOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandh

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

IRF620B_FP001

MOSFET N-CH 200V 5A TO-220;

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

IRF620FI

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS ■TYPICALRDS(on)=0.55? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCHING ■UNINTERRUPTIBLEPOWERSUPPLY(UPS) ■MOTORCONTROL,AUDIOAMPLIFIERS

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

IRF620FI

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF620N

PowerMOSFET

TELTokyo Electron Ltd.

東電電子東京電子有限公司

IRF620PBF

HEXFETPowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower

IRF

International Rectifier

IRF620PBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF620PBF

PowerMOSFET

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

IRF620R

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Designedforhighspeedapplications, suchasswitchingpowersupplies,ACandDC motorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulse. ?FEATURES ?LowRDS(on) ?VGSRatedat±20V ?SiliconGateforFastSwitchingSpeed ?Rugged ?LowDriveRequirements

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF620S

HEXFETPowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdGenerationPowerMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF620B

  • 功能描述：

    MOSFET 200V Single

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
24+
TO-220
7793
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價
仙童
06+
TO-220
5000
原裝
 詢價
FAIRCHILD
23+
TO-220
9526
詢價
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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FAIRCHILD/仙童
24+
65230
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FAIRCHILD/仙童
23+
TO-220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
FAIRCHILD/仙童
21+
TO-220
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-TO-220
12300
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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FSC
05+
TO-220
590
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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VISHAY/威世
2023+
TO-220
5651
一級代理優(yōu)勢現(xiàn)貨,全新正品直營店
 詢價
更多IRF620B供應商 更新時間2025-7-27 16:12:00

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