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IRF6150中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF6150
廠商型號

IRF6150

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

118.16 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-7-31 23:00:00

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IRF6150規(guī)格書詳情

描述 Description

True chip-scale packaging is available from International Rectifier. Through the use of advanced processing techniques and a unique packaging concept, extremely low on-resistance and the highest power densities in the industry have been made available for battery and load management applications. These benefits, combined with the ruggedized device design that International Rectifier is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device.

● Ultra Low RSS(on) per Footprint Area

● Low Thermal Resistance

● Bi-Directional P-Channel Switch

● Super Low Profile (<.8mm)

● Available Tested on Tape & Reel

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF6150

  • 功能描述:

    MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    HEXFET®

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個 N 溝道(雙) FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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24+
NA/
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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