IRF6100數(shù)據(jù)手冊(cè)Infineon中文資料規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRF6100 |
| 功能描述 | HEXFET Power MOSFET |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-12 19:00:00 |
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更多技術(shù)參數(shù)
- 型號(hào)：
IRF6100
- 功能描述：
MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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