IRF540ZS中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
IRF540ZS |
功能描述 | Advanced Process Technology |
文件大小 |
308.2 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
13 頁 |
生產(chǎn)廠商 | IRF |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-8-6 18:28:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRF540ZS
- 功能描述:
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
20+ |
TO-263 |
30 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO-263-3 |
25630 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO-263-3 |
12700 |
買原裝認(rèn)準(zhǔn)中賽美 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
20+ |
TO-263 |
3020 |
詢價(jià) | |||
IR |
1950+ |
TO-263 |
4856 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
TO-263-3 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
TO-263 |
2510 |
原廠原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IR |
2023+ |
D2-PAK |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
TO-263-3 |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) | ||
IR |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |