IRF540ZS中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF540ZS規(guī)格書詳情
VDSS = 100V
RDS(on) = 26.5m?
ID = 36A
描述 Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications
特性 Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF540ZS
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
20+ |
TO-263 |
30 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO-263-3 |
25630 |
原裝正品 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO-263-3 |
12700 |
買原裝認準中賽美 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
20+ |
TO-263 |
3020 |
詢價 | |||
IR |
1950+ |
TO-263 |
4856 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
TO-263-3 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-263 |
2510 |
原廠原裝正品 |
詢價 | ||
IR |
2023+ |
D2-PAK |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
TO-263-3 |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
IR |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 |
