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IRFI540G

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFI540G

SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm

DESCRIPTION TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplications.Themoldingcompoundusedprovidesahighisolationcapabilityandalowthermalresistancebetweenthetabandexternalheatsink.Thisisolationisequivalenttousinga1

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFI540G

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFI540GPBF

HEXFETPowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industri

IRF

International Rectifier

IRFI540GPBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFI540GPBF

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?LowThermalResistancePackage ?100RgTested APPLICATIONS ?IsolatedDC/DCConverters

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

IRFI540GPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFI540N

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.052ohm,Id=20A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,

IRF

International Rectifier

IRFI540NPBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRFI540NPBF

AdvancedProcessTechnology

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRF540STRLPBF

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 100V 28 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VISHAY
15+
原廠原裝
3200
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
VISHAY/威世
24+
TO-263
183
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
VISHAY(威世)
24+
TO-263
8357
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
 詢價(jià)
IR
24+
TO-263
501304
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價(jià)
IR
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢價(jià)
DISCRETE
800
SIX
3200
詢價(jià)
IR
15+
TO-263
800
現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR/VISHAY
23+
SOT263
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
VI1
2447
SMD
100500
一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨
 詢價(jià)
VISHAY
1809+
TO-263
1675
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購(gòu)元件!
 詢價(jià)
更多IRF540STRLPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 14:06:00

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