IRF540中文資料尼爾半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRF540 |
| 功能描述 | N-Channel Power MOSFET |
| 文件大小 |
338.15 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
7 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Nell Semiconductor Co., Ltd |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NELLSEMI【尼爾半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 尼爾半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-4 23:00:00 |
| 人工找貨 | IRF540價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRF540規(guī)格書詳情
ID (A) 28
VDSS (V) 100
RDS(ON) (Ω) 0.077 @ VGS = 10V
QG(nC) max. 72
DESCRIPTION
The Nell IRF540 are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are designed, tested and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. They are designed as an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications such as switching regulators. convertors,UPS, switching mode power supplies and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These transistors can be operated directly from integrated circuits.
FEATURES
● Low reverse transfer capacitance (CRSS = 120pF typical)
● RDS(ON) = 0.077? @ VGS = 10V
● Ultra low gate charge(72nC Max.)
● Fast switching capability
● 100 avalanche energy specified
● Improved dv/dt capability
● 175°C operation temperature
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF540
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 28 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO220 |
7350 |
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詢價(jià) | ||
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