IRF530數(shù)據(jù)手冊(cè)O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

廠商型號(hào) |
IRF530 |
功能描述 | N?Channel Enhancement?Mode Silicon Gate |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-14 10:53:00 |
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技術(shù)參數(shù)
- 型號(hào):
IRF530
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+23+ |
TO-263 |
44607 |
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IR |
23+24 |
TO-220 |
59630 |
主營(yíng)原裝MOS,二三級(jí)管,肖特基,功率場(chǎng)效應(yīng)管 |
詢價(jià) | ||
INTERSIL |
24+ |
TO-220 |
29600 |
詢價(jià) | |||
IR |
23+ |
TO263 |
3100 |
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24+ |
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IR |
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