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IRF530中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF530
廠商型號(hào)

IRF530
功能描述

14A, 100V, 0.160 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
文件大小

153.03 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
NJSEMI
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-3 23:00:00
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IRF530規(guī)格書詳情

These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.

特性 Features

? 14A, 100V

? rDS(ON)= 0.160 Ω

? Single Pulse Avalanche Energy Rated

? SOA is Power Dissipation Limited

? Nanosecond Switching Speeds

? Linear Transfer Characteristics

? High Input Impedance

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRF530

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

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