IRF5210L中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠(chǎng)商型號(hào) |
IRF5210L |
| 功能描述 | Advanced Process Technology |
| 文件大小 |
738.7 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠(chǎng)商 | Kersemi Electronic Co., Ltd. |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
KERSEMI |
| 中文名稱(chēng) | Kersemi Electronic Co., Ltd.官網(wǎng) |
| 原廠(chǎng)標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-17 17:15:00 |
| 人工找貨 | IRF5210L價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
相關(guān)芯片規(guī)格書(shū)
更多產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF5210L
- 功能描述：
MOSFET P-CH 100V 40A TO-262
- RoHS：
否
- 類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2450+ |
TO220 |
6540 |
只做原廠(chǎng)原裝正品終端客戶(hù)免費(fèi)申請(qǐng)樣品 |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
TO262 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO262 |
25630 |
原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
35890 |
詢(xún)價(jià) | |||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO262 |
12700 |
買(mǎi)原裝認(rèn)準(zhǔn)中賽美 |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
TO262 |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
1350 |
絕對(duì)全新原裝!優(yōu)勢(shì)供貨渠道!特價(jià)!請(qǐng)放心訂購(gòu)! |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
8866 |
詢(xún)價(jià) | |||
IR(國(guó)際整流器) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠(chǎng)直銷(xiāo),現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
TO262 |
6000 |
全新原裝深圳倉(cāng)庫(kù)現(xiàn)貨有單必成 |
詢(xún)價(jià) |
