IRF520NS中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IRF520NS |
| 功能描述 | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | TO-263 |
| 文件大小 |
2.66307 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | VBsemi Electronics Co.,Ltd |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-19 23:00:00 |
| 人工找貨 | IRF520NS價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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更多產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF520NS
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
992 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢價(jià) | ||
IR |
20+ |
TO-263 |
600 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
501292 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
SOT263 |
28000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
D2PAK |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
IR |
25+23+ |
TO-263 |
16760 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
D2-pak |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR |
2016+ |
TO-263 |
6528 |
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
D2PAK |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) |
