IRF520NS中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF520NS規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
? Advanced Process Technology
? Surface Mount (IRF520NS)
? Low-profile through-hole (IRF520NL)
? 175°C Operating Temperature
? Fast Switching
? Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF520NS
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
24+ |
D2PAK |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
IR |
23+ |
SOT263 |
28000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO263 |
18000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng) |
詢價 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
IR |
20+ |
TO-263 |
38900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
IR |
2025+ |
TO-263 |
32560 |
原裝優(yōu)勢絕對有貨 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
D2-pak |
8000 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
原裝正品 |
23+ |
TO-263 |
54979 |
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價 |
