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IRF510PBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF510PBF
廠商型號

IRF510PBF

功能描述

Power MOSFET

文件大小

1.06464 Mbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

VISHAY Vishay Siliconix

中文名稱

威世科技 威世科技半導(dǎo)體

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-8 14:11:00

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IRF510PBF規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? 175 °C Operating Temperature

? Fast Switching

? Ease of Paralleling

? Simple Drive Requirements

? Lead (Pb)-free Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF510PBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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