IRF450中文資料三星數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRF450 |
| 功能描述 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| 文件大小 |
214.37 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Samsung semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
SAMSUNG【三星】 |
| 中文名稱 | 三星半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-5 13:26:00 |
| 人工找貨 | IRF450價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRF450規(guī)格書詳情
FEATURES
? Low Rds(on) ) at high voltage
? Improved Inductive ruggedness
? Excellent high voltage stability
? Fast switching times
? Rugged polysillcon gate cell structure
? Low Input capacitance
? Extended safe operating area
? Improved high temperature reliability
? TO-3 package (High voltage)
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF450
- 功能描述：
MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-3 |
52500 |
只做全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-3 |
9750 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
NA/ |
6050 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-247 |
30000 |
代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng) |
詢價(jià) | ||
IR |
QQ咨詢 |
CAN |
832 |
全新原裝 研究所指定供貨商 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
TO-3 |
89630 |
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
2023+ |
5800 |
進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨熱賣 |
詢價(jià) | |||
IR |
21+ |
TO-3 |
12588 |
原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十 |
詢價(jià) |
