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IRF3808LPBF規(guī)格書詳情
描述 Description
This Advanced Planar Stripe HEXFET ? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, low RθJC, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. This combination makes the design an extremely efficient and reliable choice for use in a wide variety of applications.
Benefits
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
● Lead-Free
Typical Applications
● Industrial Motor Drive
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF3808LPBF
- 功能描述：
MOSFET N-CH 75V 106A TO-262
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
24+ |
TO-220(TO-220-3) |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO220A |
9526 |
詢價 | |||
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
25000 |
原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開票! |
詢價 | |||
IR |
24+ |
TO-262-3 |
140 |
詢價 | |||
IR |
17+ |
TO-220 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220AB |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
18+ |
TO-220 |
85600 |
保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票 |
詢價 | ||
IR |
1728+ |
TO-220AB |
8500 |
只做原裝進口,假一罰十 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
2447 |
TO-220(TO-220-3) |
105000 |
50片/管一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
7000 |
詢價 |
